等离子表面处理机 V10-G

用于晶圆

批量系统V10-G是为去除光刻胶而设计的。此外，它还可以最佳地用于清洗晶圆。 应用的领域 在干燥工艺（如RIE或离子束蚀刻）以及高剂量植入工艺之后，去除光阻层（也包括SU-8）的理想系统 硅片或其他基片在湿法加工前的清洗，以达到更好的润湿性，从而获得均匀和有效的结果。 适用于MEMS和纳米技术的工艺 去除聚合物，例如在博世工艺之后 去除有机牺牲层 生物活性化合物的调理 数据表 系统类型 - 桌面装置 样品室的尺寸（Ø x D） - 215 x 260 mm 微波功率 - 50-600 W 带质量流量控制器的气体入口 - 1个通道 电源 - 230 V, 50/60 Hz 输入功率（不含泵）- 1.5千伏安 真空计 - 皮拉尼 系统的尺寸（宽x深x高） - 720 x 820 x 820 mm 图标选项 选项 真空泵 - 是 臭氧阱 - 是 额外的气体入口 - 最多2个 软启动和慢速排气 - 是 法拉第笼 - 是 过程压力控制阀门 - 是 系统特点 过程室：石英玻璃 拉出式门 PLC控制。SPS (S7-300) 带Windows操作系统的电阻式触摸屏（戴着手套也能操作） 远程维护(VPN) 以太网接口